随着Flash工艺深入到25nm甚至以下，且结构从SLC到MLC再到TLC，存储密度和容量越来越大，随机差错率也越来越高；同时，随着大型数据中心的快速发展，存储系统规模越来越大，存储节点的失效率也越来越高，若直接采用已有的传统磁存储容错技术，并不能很好地满足大规模网络环境下的固态存储系统的容错需求。本专著试图在总结NAND Flash物理层抽象特性的基础上，从纠错编码和纠删码两个方面将复杂的编码理论深入浅出地和存储系统实践相结合起来论述，旨在为容错编码初学者起到引导入门的作用，同时为其他感兴趣的研究者提供参考。