作者	（美）霍奇斯
出版社
出版时间	2005-09-01

特色：

本书以半导体器件物理为基础，由浅入深逐步阐述了深亚微米工艺中数字集成电路的设计技术。内容包括器件模型和公式、基本门电路、静态与动态电路、存储器设计、互连线产生的效应和芯片中电源网格与时钟的分布等。本书的讨论主要基于0.18 μm和0.13 μm CMOS工艺进行的，突出了深亚微米工艺中互连线带来的新问题及其对设计的影响。此外，书中还强调了SPICE模拟工具在电路设计中的应用。 本书反映了深亚微米数字集成电路的设计技术发展，内容丰富全面，是一本优秀的教材。既可作为高等院校微电子、计算机、电子工程等专业本科生和研究生的教材和参考书，也可供从事相关领域工作的技术人员参考。