作者：兰睿著
出版社： 西安交通大学出版社
CIP号：2019239592
书号：978-7-5693-1390-1
出版地：西安
出版时间：2019.12
定价：￥48.0
本书简要介绍了相变存储器的基本原理及其发展，介绍了Sb-Te二元和Sb2Te3-GeTe伪二元合金的相图及结构、热物理性能的基本理论和已有的研究进展，详细介绍了热带法测量热传导、四探针法测量电传导以及静滴法测量密度技术的建立。介绍了下一代相变存储器用材料Ge-Sb-Te的热物理性能测量，主要包括热传导性能、电传导性能及密度。并结合热传导和电传导的数据，对Ge-Sb-Te合金的传导机理进行了讨论，给出了预测公式。